碳化硅中硅空位量子比特的共振寻址与操控
材料科学
2012-11-29 v1
摘要
固态中有几种系统被认为是基于自旋的量子信息处理的有希望的候选者。尽管在过去十年中取得了显著进展，人们仍在寻找具有更高潜力的新系统 [D. DiVincenzo, Nature Mat. 9, 468 (2010)]。我们报告指出，碳化硅中的硅空位缺陷兼具半导体量子点的技术优势和金刚石中氮 - 空位缺陷独特的自旋特性。类似于原子，硅空位量子比特可在双射频 - 光共振条件下进行控制，从而实现其选择性寻址和操控。此外，我们利用脉冲磁共振技术揭示了其长自旋存储特性。所有这些结果使得碳化硅中的硅空位缺陷在量子应用中极具吸引力。
引用
@article{arxiv.1210.0505,
title = {Resonant addressing and manipulation of silicon vacancy qubits in silicon carbide},
author = {D. Riedel and F. Fuchs and H. Kraus and S. Vaeth and A. Sperlich and V. Dyakonov and A. A. Soltamova and P. G. Baranov and V. A. Ilyin and G. V. Astakhov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.0505},
year = {2012}
}