碳化硅中双空位量子比特的 \emph{Ab initio} 自旋-应变耦合参数
量子物理
2018-11-14 v1 材料科学
摘要
立方碳化硅是一个优异的平台，可将缺陷量子比特集成到已成熟的晶圆级器件架构中，用于量子信息与传感应用；其中，双空位量子比特类似于金刚石中的带负电氮-空位（NV）中心，具有良好的相干特性。我们通过密度泛函理论计算证明，3C SiC 中的双空位对于纳米尺度、量子增强光子、光电和光机器件具有优越的自旋-应力耦合参数和应力灵敏度。
引用
@article{arxiv.1805.04706,
title = {\emph{Ab initio} spin-strain coupling parameters of divacancy qubits in silicon carbide},
author = {Péter Udvarhelyi and Adam Gali},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.04706},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 2 figures