碳化硅中空位相关自旋中心的激发与复合动力学
材料科学
2014-04-07 v2
摘要
我们通过电子辐照在高质量外延碳化硅层中产生了硅空位相关缺陷。通过控制辐照注量，缺陷浓度在几个数量级范围内变化。我们建立了这些缺陷光泵浦的激发谱，并评估了 770 nm 的最佳激发波长。我们还测量了室温下的光致发光动力学，发现其特征寿命为 6.1 ns 的单指数衰减。积分光致发光强度在高达 20 kW/cm 的激发功率密度下呈线性依赖关系，表明这些缺陷具有相对较小的吸收截面。
引用
@article{arxiv.1403.2399,
title = {Excitation and recombination dynamics of vacancy-related spin centers in silicon carbide},
author = {T. C. Hain and F. Fuchs and V. A. Soltamov and P. G. Baranov and G. V. Astakhov and T. Hertel and V. Dyakonov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.2399},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 4 figures