碳化硅中点缺陷的光学与应变稳定化
材料科学
2022-05-18 v1 应用物理
摘要
通过制备光学隔离的平板波导结构并精确控制退火和冷却条件，增强了碳化硅中色心系综的光致发光和自旋特性。我们发现，在平板波导中，注入缺陷系综的光致发光信号比相同注入条件下的体缺陷增强了一个数量级。利用平板波导增强的几种缺陷物种的光致发光，研究了在快速淬火冷却和较长时间恢复至环境条件的热退火过程中的复合与扩散。利用薄膜受限的机械几何结构，测量了带负电硅单空位的自旋-应变耦合。本工作中的方法可用于对碳化硅中近表面发射体施加更强的控制，并更好地理解和控制应变对基于碳化硅的色心自旋测量的影响。
引用
@article{arxiv.2202.04733,
title = {Optical and Strain Stabilization of Point Defects in Silicon Carbide},
author = {Jonathan R. Dietz and Evelyn L. Hu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.04733},
year = {2022}
}
备注
13 pages, 4 figures