碳化硅近表面自旋缺陷的最优表面钝化方案
材料科学
2024-05-22 v1
摘要
碳化硅中的自旋活性缺陷是实现可扩展量子技术极具前景的量子光源。在不同的应用中，这些光致发光缺陷通常被置于纳米结构基底中或靠近表面，以增强来自缺陷的信号。然而，靠近表面不仅会改变缺陷量子发射的频率，还会对其光稳定性产生不利影响，导致缺陷闪烁和/或光漂白。通过使用最佳吸附物钝化表面可以改善这些影响。在这项工作中，我们利用基于密度泛函理论的计算探索了不同的钝化方案。我们表明，使用氢或混合氢/羟基基团进行均匀的表面钝化可以完全消除 SiC 带隙中的表面态，从而恢复缺陷的光学性质。
引用
@article{arxiv.2404.00393,
title = {Optimum surface-passivation schemes for near-surface spin defects in silicon carbide},
author = {Cyrille Armel Sayou Ngomsi and Tamanna Joshi and Pratibha Dev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.00393},
year = {2024}
}