碳化硅中的钒：具备长弛豫寿命与超精细分辨光学跃迁的通信波段自旋中心
量子物理
2022-06-14 v1
摘要
碳化硅(SiC)中的钒因其位于通信波长范围内的光学跃迁，正成为量子技术的重要候选体系。然而，该缺陷族的数个关键特性，包括其自旋弛豫寿命(T1)、电荷态动力学以及能级结构，尚未被充分理解。本工作中，我们测定了钒缺陷系的T1，表明其在低温下可大幅增强。我们观测到超过90%的大自旋对比度，以及在100mK下长达25s、在1.3K下约为1s的长自旋弛豫时间。这些测量辅以对系综电荷态动力学的表征。稳定的电子自旋进一步使得通过双光子磁光谱对体系的超精细能级结构进行高分辨率表征成为可能。所获见解指向基于碳化硅中钒的高性能自旋-光子接口。
引用
@article{arxiv.2206.06240,
title = {Vanadium in Silicon Carbide: Telecom-ready spin centres with long relaxation lifetimes and hyperfine-resolved optical transitions},
author = {T. Astner and P. Koller and C. M. Gilardoni and J. Hendriks and N. T. Son and I. G. Ivanov and J. U. Hassan and C. H. van der Wal and M. Trupke},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.06240},
year = {2022}
}
备注
9 pages, 3 figures