4H 碳化硅中钒的光学性质及其在量子技术中的应用
量子物理
2019-07-26 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
我们研究 4H 碳化硅 (4H SiC) 中四价钒杂质的光学性质。在两个晶位上观察到波长为 1.28 \mum 和 1.33 \mum 的发射，光学寿命分别为 163 ns 和 43 ns。群论与从头算密度泛函超胞计算使得晶位归属明确，并阐明了缺陷的光谱特征。最后我们简要展望了其在量子光子学中的应用。
引用
@article{arxiv.1901.05371,
title = {Optical Properties of Vanadium in 4H Silicon Carbide for Quantum Technology},
author = {L. Spindlberger and A. Csóré and G. Thiering and S. Putz and R. Karhu and J. Ul Hassan and N. T. Son and T. Fromherz and A. Gali and M. Trupke},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.05371},
year = {2019}
}