基于岔射线成像技术对4H-SiC晶体中的位错进行测量
材料科学
2024-09-04 v1
摘要
4H硅碳化物（4H-SiC）具有诸多吸引特性，如高载流子迁移率、宽带隙和高热导率，使其成为高功率电子器件的理想材料。然而，利用4H-SiC的主要挑战在于其生长层中存在缺陷，这些缺陷可显著降低器件性能。本研究采用岔射线成像技术的X射线衍射顶点法来表征4H-SiC中缺陷的类型和分布。通过对拟合高斯参数导出的图谱用于4H-SiC中位错的表征。了解位错的分布可提供有关整体晶体质量的宝贵见解，可指导制造工艺的改进。
引用
@article{arxiv.2409.00200,
title = {Measurements of dislocations in 4H-SiC with rocking curve imaging},
author = {Ahmar Khaliq and Felix Wittwer and Niklas Pyrlik and Giovanni Fevola and Svenja Patjens and Jackson Barp and Gero Falkenberg and Sven Hampel and Michael Stuckelberger and Jan Garrevoet and Dennis Bruckner and Peter Modregger},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.00200},
year = {2024}
}