量子晶体中的位错迁移率：以固态4He为例
材料科学
2015-05-18 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们研究了hcp 4He晶体中位错的结构和迁移率。除了完全表征该系统的五个弹性常数外，我们还直接洞察了基面上的位错核心结构，这表明了向部分位错解离的趋势。此外，我们的结果表明，晶格内禀阻力是这些位错迁移率的关键因素。这一洞察为位错迁移率与观察到的晶体4He宏观行为之间可能存在的相关性提供了新的视角。
引用
@article{arxiv.1002.0704,
title = {Dislocation Mobility in a Quantum Crystal: the Case of Solid 4He},
author = {Renato Pessoa and S. A. Vitiello and Maurice de Koning},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.0704},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 3 Figures