刃位错对 4H-SiC 结构与电学性质的影响
材料科学
2025-01-24 v1
摘要
本文利用第一性原理密度泛函理论方法，研究了 4H-SiC 中两个具有相反伯格斯矢量（Burgers vectors）的全核心刃位错。我们确定了位错形成能随其核心间距变化的函数关系。应用径向分布函数考察了位错对局部晶体结构的强烈影响。电子结构分析揭示了位错核心处因原子键断裂而诱导产生的禁带中间能级。计算了电荷分布图和静电势图，并量化了位错核心附近静电势垒的显著降低。所得结果结合现有实验数据进行了讨论。
引用
@article{arxiv.1502.00309,
title = {Effect of edge dislocations on structural and electric properties of 4H-SiC},
author = {Jan Łażewski and Paweł T. Jochym and Przemysław Piekarz and Małgorzata Sternik and Krzysztof Parlinski and Jan Cholewiński and Paweł Dłużewski and Stanisław Krukowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.00309},
year = {2025}
}
备注
10 pages, 4 figures