晶体结构中边位位错的离散模型行波描述
材料科学
2009-11-10 v2
摘要
我们从第一性原理计算了将二维边位位错钉扎所需的静应力、维持其运动所需的下动态应力、其速度以及位移向量轮廓。我们采用一种简化的离散模型，其远场畸变张量随距离的衰减方式呈代数衰减，类似于常规弹性理论。还给出了在强阻尼情况下（包括涨落效应）的位错钉扎解析描述。若有 N 个相距甚远的平行边位位错，则可共同钉扎某个位错，需满足 N = O(L)，其中 L 为位错间距平均值除以单个位错的布拉格矢量。随后可定义并计算一个限制位错密度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302556,
title = {Edge dislocations in crystal structures considered as traveling waves of discrete models},
author = {A. Carpio and L. L. Bonilla},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302556},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 3 eps figures, Revtex 4. Final version, corrected minor errors