强原子尺度无序晶体中 dislocation 线的性质
材料科学
2018-07-26 v1
摘要
我们采用离散位错动力学（DDD）方法研究强随机力作用下位错的运动，该力可致位错线在可与位错核半径相比的尺度上发生弯曲与粗糙化。此类情形可能与表现强原子尺度无序的高熵合金（HEA）相关，此时基于线张力近似的标准标度论证可能不再适用，需考虑对标度的修正。我们首先研究热Langevin力下位错的游走，这导出可精确求解的线性随机微分方程。由热化位错线的傅里叶模可直接推得尺度依赖的有效线张力。随后我们利用此信息考察晶体中具空间上时间无关（“淬灭”）无序的位错游走，确立了钉扎长度并展示如何将该长度用作流变应力的预测量。讨论了由分子动力学模拟确定HEA流变应力的启示。
引用
@article{arxiv.1807.09512,
title = {Properties of dislocation lines in crystals with strong atomic-scale disorder},
author = {Jianhui Zhai and Michael Zaiser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.09512},
year = {2018}
}