晶格离散性引起的位错结构新特征
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
在一个物理上清晰的理论框架内，探讨了晶格与位错结构之间的关系的新方面。由晶格离散性引起的预测特征包括：(i) 多核心位错结构；(ii) 位错轴位置的依赖性。这些效应可直接观察，也可能在位错运动或转换（如跨切）特征中体现。这些效应在任何晶体中都普遍存在，具体表现程度取决于材料。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0006257,
title = {New features of dislocation structures arising from lattice discreteness},
author = {Oleg N. Mryasov and Yu. N. Gornostyrev and A. J. Freeman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0006257},
year = {2007}
}
备注
4 pages and 5 figures