4H-SiC的TCAD参数综述

本文为期望的文献综述，探讨了4H硅碳化物的介电常数、态密度质量、带隙、击穿离子化、电荷载流子复合、非完全电离和迁移率。我们提供了关于表征方法、模型和参数的全面概述，以降低新手的进入门槛，并允许对常见材料属性描述进行批判性评估。进一步通过识别当前知识库中的空白，着重于未来研究领域。对于每项 investigated 属性，我们发现基于测量、计算或拟合的模型和参数集合数量众多。通过字面和/或图形比较，我们揭示了定性良好一致性，但也存在数据值错误、对研究结果的误解释以及来自多个调查（甚至直接相互引用）之间的不一致。我们识别出由于温度等引起的参数变动对4H-SiC分析影响大，但很少被考虑；以及基于旧研究中异质材料或属性的常见值。我们进一步展示了最新研究结果在科学界的缓慢采纳，揭示了缺失的表征数据以及在技术计算机辅助设计（TCAD）工具中的不足模型。总体而言，本综述使基于科学的4H-SiC材料参数决策成为可能，并揭示了进一步调查以验证常用值、确认假设并覆盖额外依赖性的需求。