SiC中过渡金属缺陷的应变工程
介观与纳米尺度物理
2024-04-10 v1
摘要
碳化硅（SiC）中的过渡金属（TM）缺陷是量子技术应用的一个有前景的平台，因为其中一些缺陷（如钒（V））允许在某一电信波段进行光学发射。对于其他缺陷，已表明对晶体施加应变可对其发射特性产生有益效果。受此启发，我们从理论上研究应变对SiC中V缺陷的电子能级结构与光学电偶极跃迁的主要影响。特别地，我们展示了如何利用应变来调控g张量、电子选择定则和超精细相互作用。基于这些见解，我们讨论了光学Lambda系统以及初始化SiC中应变TM缺陷量子态的前进路径。
引用
@article{arxiv.2310.19719,
title = {Strain Engineering for Transition Metal Defects in SiC},
author = {Benedikt Tissot and Péter Udvarhelyi and Adam Gali and Guido Burkard},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.19719},
year = {2024}
}
备注
14 pages, 6 figures