热应变诱导的 SiC-MgB2 复合材料电磁性能增强
超导电性
2008-08-11 v1
摘要
应变工程已被用于改性铁电、超导和铁磁薄膜的材料性能。应变工程的优点在于它可以在对材料本征性能产生最小不利影响的情况下，实现某些性能的意外增强，例如将铁电临界温度 Tc 提高 300 至 500 K。应变工程已主要应用于薄膜形式的材料，其中应变是基底与组分薄膜之间或多层结构中各层之间晶格失配的结果。在此，我们报告了通过扩散方法制备的致密 SiC-MgB2 超导复合材料中残余热应力/应变的观测结果。我们证明，在碳取代水平较低的 SiC-MgB2 复合材料中，由 MgB2 和 SiC 相之间不同的热膨胀系数引起的热应变是临界电流密度 Jc、不可逆场 Hirr 和上临界场 Hc2 显著改善的原因。与通过化学取代改善 MgB2 的 Jc 和 Hc2 的常见做法相反，通过利用残余热应变，我们能够设计出一种复合材料，其 Tc 下降很小，电阻率增加也很小，但 Jc 和 Hc2 相比 MgB2 有显著改善。目前的发现为通过应变工程操控各种形式材料的性能开辟了一个新方向。
引用
@article{arxiv.0808.1136,
title = {Thermal strain-induced enhancement of electromagnetic properties in SiC-MgB2 composites},
author = {R. Zeng S. X. Dou and L. Lu and W. X. Li and J. H. Kim and P. Munroe and R. K. Zheng and S. P. Ringer},
journal= {arXiv preprint arXiv:0808.1136},
year = {2008}
}