应变驱动的硅碳化物中钒量子位数的控制

硅碳化物中的钒是具有电子自旋长寿命、光学跃迁位于电信波段的优越自旋光子界面材料，处于先进半导体平台中。在本文中，对该缺陷在毫开尔文温度下 16 维基态自旋流形的深入研究中，观察到一系列此前未报告的跃迁，并使用包含应变的理论模型进行准确描述。通过超导微线圈实现 Rabi 频率超过 20 MHz，并实现了对直接超精细跃迁的首次相干操控。这些发现进一步凸显了该缺陷在应变工程、传感以及容错量子位数编码方面的潜力。