用于应用领域的单壁碳纳米管发光缺陷
光学
2021-11-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
半导体单壁碳纳米管展现出非凡的电子与光学性质，例如高载流子迁移率以及依赖于直径的近红外光致发光。在这些纳米管的碳晶格中引入sp3缺陷会产生新的电子态，从而导致进一步红移、寿命更长且光致发光产率更高的光致发光。这些发光缺陷或有机色心可通过控制所连取代基的精确结合构型与静电性质进行化学调控。本综述涵盖了发光sp3缺陷的基本光物理、其可控形成的合成方法，并讨论了它们作为室温近红外单光子发射体、在电致发光器件中、作为通用光学传感器以及作为生物成像与潜在超分辨显微术荧光团的应用。
引用
@article{arxiv.2111.05317,
title = {Luminescent Defects in Single-Walled Carbon Nanotubes for Applications},
author = {Jana Zaumseil},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.05317},
year = {2021}
}