基于拉曼光谱的半导体型单壁碳纳米管中 sp$^{3}$ 缺陷的绝对定量
材料科学
2022-04-18 v1 应用物理
摘要
利用发光 sp 缺陷对半导体型单壁碳纳米管（SWCNTs）进行功能化，可在近红外区产生红移发射特征并提高其光致发光量子产率（PLQYs）。尽管已开发出多种选择性引入 sp 缺陷的合成路线，但目前尚无一种便捷的度量方法能够精确量化 SWCNT 晶格上的缺陷数量。在此，我们提出了一种直接且简单的定量方案，该方案基于从 PLQY 测量中提取的积分拉曼 D/G 信号比与缺陷密度之间的线性相关性。结合低温下对单纳米管发射光谱的统计分析，该方法能够以每微米 3 个缺陷的误差对 (6,5) SWCNTs 中的 sp 缺陷密度进行定量评估，并确定不同类型缺陷的振子强度。所开发的方案仅需标准拉曼光谱，且与缺陷构型、分散溶剂和纳米管长度无关。
引用
@article{arxiv.2204.07381,
title = {Absolute Quantification of sp$^{3}$ Defects in Semiconducting Single-Wall Carbon Nanotubes by Raman Spectroscopy},
author = {Finn L. Sebastian and Nicolas F. Zorn and Simon Settele and Sebastian Lindenthal and Felix J. Berger and Christoph Bendel and Han Li and Benjamin S. Flavel and Jana Zaumseil},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.07381},
year = {2022}
}