绝缘体上硅中 W 中心光致发光的优化
应用物理
2020-05-21 v2 光学
摘要
W 中心是通过硅中自离子注入产生的三角缺陷，在 1.218 m 处呈现光致发光。我们此前已表明其可用于波导集成的全硅发光二极管(LED)。此处我们优化注入能量、注量(fluence)与退火条件，以最大化绝缘体上硅中注入 W 中心的光致发光强度，该衬底适用于波导集成器件。优化后，我们观察到相对于将注入离子停阻范围置于硅器件层中心的条件，光致发光强度提升了近两个数量级。此前所演示的波导集成 LED 使用的注入条件即是将停阻范围置于该层中心。我们进一步通过在 300 mm 绝缘体上硅晶圆上展示相似强度的光致发光，表明此类光源可在 300 mm 规模制造。整个晶圆上的发光均匀性在测量误差范围内。
引用
@article{arxiv.1911.01317,
title = {Optimization of photoluminescence from W centers in silicon-on-insulator},
author = {Sonia M. Buckley and Alex N. Tait and Galan Moody and Stephen Olson and Joshua Herman and Kevin L. Silverman and Satyavolu Papa Rao and Sae Woo Nam and Richard P. Mirin and Jeffrey M. Shainline},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.01317},
year = {2020}
}