硅中单个 W 中心的探测
量子物理
2022-08-02 v2 光学
摘要
控制硅中单个荧光缺陷的量子特性，是迈向易于扩展的先进量子光子器件的关键挑战。迄今为止的研究工作主要集中在基于掺入硅晶格中的杂质的外部缺陷上。在此，我们展示了硅中单个内部缺陷的探测，该缺陷与被称为 W 中心的三间隙复合体有关，其零声子线位于 1.218m。对其单光子发射特性的研究揭示了关于这一常见辐射损伤中心的新信息，如其偶极取向和光物理特性。我们还确定了其微观结构，并表明尽管该缺陷在带隙中不具有电子态，但库仑相互作用导致了硅带隙以下的激子辐射复合。这些结果可为基于硅中内部发光缺陷的众多量子前景奠定基础，例如量子集成光子学、量子通信和量子传感。
引用
@article{arxiv.2108.04283,
title = {Detection of single W-centers in silicon},
author = {Yoann Baron and Alrik Durand and Péter Udvarhelyi and Tobias Herzig and Mario Khoury and Sébastien Pezzagna and Jan Meijer and Isabelle Robert-Philip and Marco Abbarchi and Jean-Michel Hartmann and Vincent Mazzocchi and Jean-Michel Gérard and Adam Gali and Vincent Jacques and Guillaume Cassabois and Anaïs Dréau},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.04283},
year = {2022}
}