一种单颗光学可探测的自转自旋
量子物理
2026-01-30 v2
摘要
我们展示了对硅中一种名为 G 中心的荧光自转缺陷的单自旋光谱。该缺陷表现为一种伪分子，随机地在晶体基质中重新取向。通过高分辨率自旋光谱，我们揭示了由于自旋主轴在晶体中在离散取向之间跳跃而产生的精细磁结构。对缺陷原子重新取向的建模显示，自旋旋转会导致与微波磁场耦合的变化，使其在相干自旋控制实验中可被检测到位置相关的 Rabi 频率。凭借其伪分子配置，G 中心在硅中是一种独特的量子系统，可用于探索光学、自旋和旋转性质在高度多功能材料中的相互作用。
引用
@article{arxiv.2510.15590,
title = {A single optically detectable tumbling spin in silicon},
author = {Félix Cache and Yoann Baron and Baptiste Lefaucher and Jean-Baptiste Jager and Frédéric Mazen and Frédéric Milési and Sébastien Kerdilès and Isabelle Robert-Philip and Jean-Michel Gérard and Guillaume Cassabois and Vincent Jacques and Anaïs Dréau},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.15590},
year = {2026}
}