硅中电信波长单光子发射体的识别

Péter Udvarhelyi; Bálint Somogyi; Gergő Thiering; Adam Gali

doi:10.1103/PhysRevLett.127.196402

硅中电信波长单光子发射体的识别

量子物理 2021-11-17 v2 原子物理计算物理

作者: Péter Udvarhelyi , Bálint Somogyi , Gergő Thiering , Adam Gali

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摘要

我们通过包含自洽多体微扰方法的第一性原理计算，识别了硅中G光致发光中心的精确微观结构，该中心是一个电信波长单光子源。该缺陷由处于中性电荷态 $\text{C}_\text{s}-\text{Si}_\text{i}-\text{C}_\text{s}$ 构型的 $\text{C}_\text{s}\text{C}_\text{i}$ 碳杂质构成，其中 $s$ 和 $i$ 分别代表Si晶格中的替代位和间隙位。我们揭示其光学信号观测到的精细结构源于缺陷的非热转动重取向。我们将光探测磁共振测量中报道的单斜对称性归因于极低温下降低的隧穿率。我们讨论了缺陷性质的热激活运动平均以及量子比特态的本质。

关键词

单光子发射体硅电信波长第一性原理计算碳杂质光探测磁共振量子比特态

引用

@article{arxiv.2106.13578,
  title  = {Identification of a telecom wavelength single photon emitter in silicon},
  author = {Péter Udvarhelyi and Bálint Somogyi and Gergő Thiering and Adam Gali},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2106.13578},
  year   = {2021}
}

备注

2 figures

硅中电信波长单光子发射体的识别

摘要

关键词

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