碳注入硅中真正的和虚假的单G中心
量子物理
2024-07-11 v1
摘要
在硅中研究的多种单荧光缺陷中，许多研究聚焦于零声子线在约m附近的色心，并将其识别为硅中常见的碳复合物，即G中心。然而，关于其量子效率的不一致估计使人们对这些单个发射体的正确识别产生了怀疑。通过对其单光子发射特性的比较分析，我们证明这些单色心分为两个不同的点缺陷家族。第一个家族由真正的单G中心组成，其微观结构已被明确识别，自20世纪60年代以来已在系综测量中研究了其光致发光。其余缺陷属于一种新的色心，我们将其称为G中心，其原子构型尚待确定。这些结果为未来避免缺陷误认提供了保障，这对于依赖G或G中心量子特性的量子技术的进一步发展至关重要。
引用
@article{arxiv.2402.07705,
title = {Genuine and faux single G centers in carbon-implanted silicon},
author = {Alrik Durand and Yoann Baron and Félix Cache and Tobias Herzig and Mario Khoury and Sébastien Pezzagna and Jan Meijer and Jean-Michel Hartmann and Shay Reboh and Marco Abbarchi and Isabelle Robert-Philip and Jean-Michel Gérard and Vincent Jacques and Guillaume Cassabois and Anaïs Dréau},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.07705},
year = {2024}
}