硅中近红外单光子发射体的广泛多样性
量子物理
2021-03-03 v2 光学
摘要
我们报道了在硅中检测到属于七类不同光活性点缺陷的单个发射体。这些荧光中心是通过对通常用于集成光子学的商用绝缘体上硅晶圆进行碳注入而产生的。单光子发射在[1.1,1.55]-m范围内得到证明，覆盖了O波段和C波段通信波段。我们分析了它们在10K下的光致发光光谱、偶极发射和光学弛豫动力学。对于其中一类特定的发射体，我们展示了从10K到远高于77K液氮温度时饱和状态下的恒定发射强度。鉴于硅中纳米加工与集成的先进可控性，这些新的人工原子是硅基量子技术中有前景的候选者。
引用
@article{arxiv.2010.11068,
title = {Broad diversity of near-infrared single-photon emitters in silicon},
author = {A. Durand and Y. Baron and W. Redjem and T. Herzig and A. Benali and S. Pezzagna and J. Meijer and A. Yu. Kuznetsov and J. -M. Gérard and I. Robert-Philip and M. Abbarchi and V. Jacques and G. Cassabois and A. Dréau},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.11068},
year = {2021}
}