碳化硅 LED 中的本征缺陷作为近红外室温单光子源的前景
材料科学
2013-04-12 v1
摘要
单光子产生已在多个系统中得到证实。然而，没有任何一个系统能同时满足实际应用所需的所有条件，例如室温工作能力、电信波长操作和高效率。在此，我们报道了基于碳化硅 (SiC) 本征缺陷的发光二极管 (LED) 的制备。为了制造我们的器件，我们采用了标准半导体制造技术与高能电子辐照相结合的方法。我们 LED 的室温电致发光 (EL) 显示出可见光和近红外 (NIR) 两个强发射带，分别与两种不同的本征缺陷相关。由于这些缺陷有可能在低浓度甚至单个缺陷水平上产生，我们的方法可用于实现用于量子通信和信息处理的电驱动单光子源。
引用
@article{arxiv.1212.2989,
title = {Intrinsic defects in silicon carbide LED as a perspective room temperature single photon source in near infrared},
author = {F. Fuchs and V. A. Soltamov and S. Vaeth and P. G. Baranov and E. N. Mokhov and G. V. Astakhov and V. Dyakonov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.2989},
year = {2013}
}