自掺硅中的 W 中心是自中子簇 I_3
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们通过第一性密度泵函计算，将自掺晶体硅中的 W 中心识别为三元自中子簇 I_3，依据其匹配实验已知的所有特征（发射能、外生能级、活化能和解离能、局部振动结构和对称性）。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0202495,
title = {The W center in self-implanted silicon is the self-interstitial cluster I_3},
author = {G. M. Lopez and V. Fiorentini},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0202495},
year = {2007}
}
备注
RevTeX 4 pages, 2 embedded ps figures