用于识别边界阻碍拓扑绝缘体的万尼尔中心谱学
介观与纳米尺度物理
2025-04-01 v3 材料科学
摘要
拓扑晶体绝缘体的标志是在材料边界处的带隙中出现局域的鲁棒电子态。然而，端点态、边缘态和表面态也可能具有非拓扑起源。不幸的是，诸如缠绕数和Zak相等拓扑不变量通常无法通过实验直接获得。除了拓扑不变量，万尼尔中心的位置也为材料的拓扑特性提供了指纹。在此，我们展示了一种通过积分态密度来实验确定由Cs/InAs(111)A构成的人工晶格中万尼尔中心位置的方法。我们确定了各种一维链（拓扑和非拓扑）的万尼尔中心位置，并用紧束缚模拟验证了我们的发现。
引用
@article{arxiv.2407.14465,
title = {Wannier center spectroscopy to identify boundary-obstructed topological insulators},
author = {R. A. M. Ligthart and M. A. J. Herrera and A. Visser and A. Vlasblom and D. Bercioux and I. Swart},
journal= {arXiv preprint arXiv:2407.14465},
year = {2025}
}