硅中双中空缺陷的热活化再取向
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
我们提出了一个用于解释离子掺杂硅中常见的 P6 中心的双中空模型。该模型中的双中空结构以及不同缺陷取向之间的转换路径，能够解释 P6 中心从低温 C1h 到室温 D2d 对称性的热活化转换。通过 ab initio 计算确定的缺陷再取向活化能为 0.5 eV，与实验结果一致。我们的双中空模型建立了点缺陷与延伸缺陷之间的联系，双中空为生长提供了核。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9904031,
title = {Thermally activated reorientation of di-interstitial defects in silicon},
author = {J. Kim and F. Kirchhoff and W. G. Aulbur and J. W. Wilkins and F. S. Khan and G. Kresse},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9904031},
year = {2009}
}
备注
12 pages, REVTeX, Four figures, submitted to Phys. Rev. Lett