轻离子辐照诱导的固相外延结晶中的雪崩效应
材料科学
2015-12-03 v1
摘要
在B离子辐照期间，研究了晶体Si衬底上非晶Si层的固相外延结晶，温度范围为293 - 573 K。在所有测量温度下均发生再生长，激活能为0.07 eV，前置因子为2.36 nm / 10^14 B cm-2。低激活能表明涉及自由间隙点缺陷，而不寻常大的前置因子表明每个间隙使约50个宿主Si原子结晶。我们提出，在a/c界面处的间隙湮灭引发一个类冲击过程，该过程驱动c-Si岛的成核与生长，直至被失配应变终止。
引用
@article{arxiv.1512.00800,
title = {Avalanche effects in solid-phase epitaxial crystallization induced by light-ion irradiation},
author = {N. E. B. Cowern and B. J. Pawlak and R. Gwilliam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.00800},
year = {2015}
}