硅中离子诱导非晶化的机制
材料科学
2009-02-16 v5
摘要
我们报道了室温下25-30 keV的Al₅⁻、Si₅⁻和Cs⁻离子在Si中诱导损伤积累和非晶化的一些结果。我们表明,在低能量下,非晶化是一个基于直接碰撞机制的成核和生长过程。Avrami指数约为1.6,向非晶化的生长似乎是扩散受限的。在剂量超过17 eV/原子时,指示出向完全非晶化状态的转变,这高于模拟预测的6-12 eV/原子。观察到的较高阈值可能是温度效应所致,尽管不能排除模拟中对keV能量反冲的低估。
引用
@article{arxiv.0811.0806,
title = {The mechanism of ion induced amorphization in Si},
author = {H. P. Lenka and U. M. Bhatta and P. K. Kuiri and G. Sahu and B. Joseph and B. Satpati and D. P. Mahapatra},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.0806},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 figures