单晶硅纳米线优先非晶化的原位 TEM 观察
介观与纳米尺度物理
2018-09-24 v1
摘要
在室温下，利用透射电子显微镜技术原位研究了聚焦电子束辐照下单晶硅纳米线的纳米不稳定性。观察到随着电子剂量的增加，硅纳米线优先从表面向中心非晶化。相比之下，在硅纳米线中心，非晶化显得不均匀且困难得多，并伴随晶粒转动与晶面间距压缩。这种由电子束辐照作为非热诱导的选择性优先非晶化，可由我们提出的纳米曲率效应与高能束诱导非热激活效应概念很好地解释，而经典的撞出机制与电子束加热效应似乎不足以解释这些过程。此外，该发现揭示了聚焦电子束辐照下硅纳米线与硅薄膜间非晶化的差异，并对未来基于硅纳米线的器件的纳米稳定性与纳米加工具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1712.02957,
title = {In-situ TEM observation of preferential amorphization in single crystal Si nanowire},
author = {Jiangbin Su and Xianfang Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.02957},
year = {2018}
}
备注
16 pages, 3 figures