利用聚焦氮气流制备优先取向的电子束 TiN 薄膜
材料科学
2014-10-16 v3
摘要
巧妙地使用改进的电子束蒸发仪合成了具有 (111) 优先取向的 TiN 薄膜。这一新设计涉及通过带正偏压的半圆柱形阳极板加速从蒸发锭发射的二次电子以产生局部等离子体，同时将 N2 气体射流作为反应气体聚焦指向基底。我们观察到相对于表面法线成 25 度角的 (111) 优先取向，并通过极图分析证实了这一点。基于蒸发速率解释了 (111) 优先取向现象。由于优先取向的存在，经典的 sin2psi 技术未能测得任何实质性的残余应力结果。通过纳米压痕技术测得的硬度和模量分别约为 19.5 GPa 和 214 GPa。对这些薄膜进行的连续多周期压痕测试表现出应力松弛。
引用
@article{arxiv.1410.1277,
title = {Preferentially orientated E-beam TiN thin films using focused jet of nitrogen gas},
author = {R. Ramaseshan and Feby Jose and S. Rajagopalan and S. Dash},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.1277},
year = {2014}
}
备注
6 pages, 8 figures