MgB₂薄膜中有效涡旋钉扎
超导电性
2009-11-07 v1 材料科学
摘要
我们讨论了通过脉冲激光沉积(PLD)和电子束蒸发(EB)制备的MgB₂薄膜的钉扎特性。在两种随机取向薄膜中，确定了两种最有效贡献于涡旋钉扎的机制。EB工艺产生低缺陷晶粒，晶粒尺寸较小，在不降低Tc的条件下提供了晶界附近的增强钉扎。PLD工艺产生结构无序规模小于相干长度的薄膜，进一步提高钉扎效果，但也会降低Tc。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0207080,
title = {Effective Vortex Pinning in MgB2 thin films},
author = {Y. Bugoslavsky and L. Cowey and T. J. Tate and G. K. Perkins and J. Moore and Z. Lockman and A. Berenov and J. L. MacManus-Driscoll and A. D. Caplin and L. F. Cohen and H Y Zhai and H M Christen and M P Paranthaman and D H Lowndes and M H Jo and M G Blamire},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0207080},
year = {2009}
}