Ba(Fe1-xCox)2As2 薄膜中人工与自组装钉扎中心作为实现极高电流密度的途径
超导电性
2012-12-10 v1 材料科学
摘要
我们报道了具有自组装 c 轴钉扎和人工引入 ab 面钉扎的单层及多层 Ba(Fe1-xCox)2As2 薄膜的优异磁通钉扎性能。Ba(Fe1-xCox)2As2 可容纳非常高密度的钉扎中心（15-20 vol%）而不抑制 Tc。匹配场大于 12 T，显著提高了临界电流密度 Jc，实现了近乎各向同性的 Jc (Theta,20T) > 10^5 A/cm2，以及约 50 GN/m^3 的全局钉扎力密度 Fp。这一情形与高温铜氧化物超导体截然不同，后者在不抑制 Tc 的前提下添加钉扎中心的限度仅为 2-4 vol%，仅导致较小的 HIrr 增强，且仅在低于 3-5 Tesla 时改善 Jc。
引用
@article{arxiv.1211.6464,
title = {Artificial and self-assembled pinning centers in Ba(Fe1-xCox)2As2 thin films as a route to very high current density},
author = {C. Tarantini and S. Lee and F. Kametani and J. Jiang and J. D. Weiss and J. Jaroszynski and C. M. Folkman and E. E. Hellstrom and C. B. Eom and D. C. Larbalestier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.6464},
year = {2012}
}
备注
20 pages,8 figures. Accepted for publication in Physical Review B