Co 掺杂 BaFe2As2 薄膜中的一维钉扎行为
超导电性
2014-01-30 v1
摘要
角度分辨输运测量表明，平面缺陷在所研究的 Co 掺杂 BaFe2As2 薄膜中主导磁通钉扎。对于任何给定的磁场和温度，临界电流仅取决于晶体学 c 轴与外加磁场之间的夹角，而与电流和磁场之间的夹角无关。因此，临界电流仅受洛伦兹力的面内分量限制，而不受面外分量影响，面外分量完全由平面缺陷施加的钉扎力平衡。这种一维钉扎行为显示出与层状超导体中本征钉扎的相似性和差异性。
引用
@article{arxiv.1401.7518,
title = {One-dimensional pinning behavior in Co-doped BaFe2As2 thin films},
author = {V. Mishev and W. Seeböck and M. Eisterer and K. Iida and F. Kurth and J. Hänisch and E. Reich and B. Holzapfel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.7518},
year = {2014}
}
备注
8 pages, 6 figures