金属基底上取向不良晶界增强 P 掺杂 BaFe2As2 薄膜的临界电流
超导电性
2016-11-15 v2
摘要
采用脉冲激光沉积法，在具有两种面内晶界取向（良好取向 4° 和不良取向 8°）的多晶金属带材基底上制备了铁基超导体 BaFe2(As1-xPx)2（Ba122:P）薄膜。不良取向的基底不适用于铜氧化物涂层导体，因为面内取向超过 4° 会导致临界电流密度（Jc）指数衰减。尽管结晶度较差，但在不良取向基底上生长的 Ba122:P 薄膜在 4 K 时表现出比在良好取向基底上更高的 Jc。研究表明，不良取向样品的取向差角小于 6°，低于铁基超导体钴掺杂 BaFe2As2 的临界角（约 9°），而 Ba122:P 中观察到的强钉扎归因于取向差角小于临界角的高密度晶界。这一结果揭示了其相对于铜氧化物涂层导体的显著优势，因为铁基超导体的实际应用无需良好取向的金属带材基底。
引用
@article{arxiv.1606.01477,
title = {Enhanced critical-current in P-doped BaFe2As2 thin films on metal substrates arising from poorly aligned grain boundaries},
author = {Hikaru Sato and Hidenori Hiramatsu and Toshio Kamiya and Hideo Hosono},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.01477},
year = {2016}
}