在 CaF2 上生长的 Ba(Fe1-xCox)2As2 薄膜中开发极高的 Jc
超导电性
2014-12-04 v1
摘要
Ba(Fe1-xCox)2As2 是铁基超导体 (FBS) 中可调谐性最强的材料，它能够容纳高密度的自组装和人工引入的钉扎中心，从而显著提高临界电流密度 Jc。此外，FBS 对应变非常敏感，应变会诱导材料的临界温度 Tc 重要提升。在本文中，我们证明了由衬底诱导的应变可以进一步提高单层和多层薄膜的 Jc，其提升幅度超过了仅由 Tc 增加所预期的效果。在 CaF2 上多层沉积 Ba(Fe1-xCox)2As2 使钉扎力密度 Fp 相比单层薄膜增加了 60% 以上，在 22.5T 和 4.2 K 下达到 84 GN/m^3 的最大值，这是任何 122 相中报道过的最高值。
引用
@article{arxiv.1412.1421,
title = {Development of very high Jc in Ba(Fe1-xCox)2As2 thin films grown on CaF2},
author = {C. Tarantini and F. Kametani and S. Lee and J. Jiang and J. D. Weiss and J. Jaroszynski and E. E. Hellstrom and C. B. Eom and D. C. Larbalestier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.1421},
year = {2014}
}
备注
25 pages, 9 figures