用于铁基超导体的通用Fe缓冲层：外延FeSe1-xTex薄膜

Kazumasa Iida; Jens Haenisch; Michael Schulze; Saicharan Aswartham; Sabine Wurmehl; Bernd Buechner; Ludwig Schultz; Bernhard Holzapfel

doi:10.1063/1.3660257

用于铁基超导体的通用Fe缓冲层：外延FeSe1-xTex薄膜

超导电性 2011-12-12 v1 材料科学

作者: Kazumasa Iida , Jens Haenisch , Michael Schulze , Saicharan Aswartham , Sabine Wurmehl , Bernd Buechner , Ludwig Schultz , Bernhard Holzapfel

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摘要

通过脉冲激光沉积，在Fe缓冲的MgO衬底上实现了双轴织构的FeSe1-xTex薄膜。与Fe/BaFe2As2双层膜类似，FeSe1-xTex薄膜的晶体质量展现出小于0.9°的尖锐面外和面内织构。Fe/FeSe1-xTex双层膜显示出超过17 K的高超导转变温度。角度依赖的临界电流密度在H // ab方向呈现峰值，与其他pnictide薄膜相似。由于c方向层间距与面外相干长度之间的良好匹配，FeSe1-xTex在此方向上的体积钉扎力与Co掺杂BaFe2As2相比非常强。

关键词

铁基超导体 FeSe1-xTex薄膜 Fe缓冲层脉冲激光沉积双轴织构临界电流密度体积钉扎力

引用

@article{arxiv.1111.3923,
  title  = {Generic Fe buffer layers for Fe-based superconductors: Epitaxial FeSe1-xTex thin films},
  author = {Kazumasa Iida and Jens Haenisch and Michael Schulze and Saicharan Aswartham and Sabine Wurmehl and Bernd Buechner and Ludwig Schultz and Bernhard Holzapfel},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1111.3923},
  year   = {2011}
}

备注

5 figures

用于铁基超导体的通用Fe缓冲层：外延FeSe1-xTex薄膜

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关键词

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