在技术型IBAD-MgO衬底上超导Ba(Fe1-xCox)2As2薄膜的外延生长
超导电性
2015-03-17 v1 材料科学
摘要
通过采用铁缓冲层架构，在离子束辅助沉积（IBAD）MgO包覆导体模板上实现了超导Co掺杂BaFe2As2（Ba-122）薄膜的双轴织构生长。该铁基超导包覆导体的超导转变温度为21.5 K，略低于在单晶MgO衬底上生长的Co掺杂Ba-122薄膜。即使在8 K时，自场临界电流密度已超过10^5 A/cm²。本实验凸显了铁基超导体在包覆导体应用方面的潜力。
引用
@article{arxiv.1012.0894,
title = {Epitaxial Growth of Superconducting Ba(Fe1-xCox)2As2 Thin Films on Technical IBAD-MgO Substrates},
author = {Kazumasa Iida and Jens Hänisch and Sascha Trommler and Vladimir Matias and Silvia Haindl and Fritz Kurth and Irene Lucas del Pozo and Ruben Hühne and Martin Kidszun and Jan Engelmann and Ludwig Schultz and Bernhard Holzapfel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.0894},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 5 figures. To be published in Applied Physics Express