金属衬底上高度织构化的氧磷化物超导薄膜
超导电性
2014-11-03 v1
摘要
通过分子束外延在离子束辅助沉积 (IBAD)-MgO/Y2O3/Hastelloy 衬底上生长了高度织构化的 NdFeAs(O,F) 薄膜。该氧磷化物涂层导体显示出 43 K 的超导转变温度 (Tc)，以及在 5 K 下自场临界电流密度 (Jc) 为 7.0 x 10^4 A/cm^2，比粉末装管法加工的 SmFeAs(O,F) 线材高出 20 倍以上。尽管相比 Co 掺杂 BaFe2As2 涂层导体具有更高的 Tc 和更好的晶体质量，但 NdFeAs(O,F) 的场中 Jc 低于 Co 掺杂 BaFe2As2。这些结果表明，与 Co 掺杂 BaFe2As2 相比，氧磷化物中的晶界显著降低了 Jc，因此高 Jc 需要双轴织构。
引用
@article{arxiv.1410.8743,
title = {Highly textured oxypnictide superconducting thin films on metal substrates},
author = {Kazumasa Iida and Fritz Kurth and Masashi Chihara and Naoki Sumiya and Vadim Grinenko and Ataru Ichinose and Ichiro Tsukada and Jens Hänisch and Vladimir Matias and Takafumi Hatano and Bernhard Holzapfel and Hiroshi Ikuta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.8743},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 4 figures