氧磷族元素化物薄膜的经验教训
超导电性
2013-01-15 v1
摘要
关于氟掺杂 LaFeAsO 氧磷族元素化物薄膜生长的首批实验显示其正常态到超导态的转变不完全，并提出了一个旨在克服其制备中可能存在的困难的工作计划。在这方面，实现全原位外延生长的可能性似乎只是时间和生长参数的问题。下述综述阐明，由于极稳定杂质相如氟氧化物（LaOF）和氧化物（La₂O₃）的形成，以及可能因靶材的不一致蒸发或挥发性元素在衬底表面的再蒸发导致的化学计量比损失，氟掺杂氧磷族元素化物薄膜极难通过原位脉冲激光沉积（PLD）生长。然而，该综述也表明，所采用的两步法制备氧磷族元素化物薄膜工艺已成功应用于清洁多晶薄膜及外延薄膜的制备。对上临界场、其温度依赖性及其各向异性的基础研究，有助于理解氧磷族元素化物中的多带超导电性。
引用
@article{arxiv.1212.4044,
title = {Lessons from Oxypnictide Thin Films},
author = {Silvia Haindl and Martin Kidszun and Franziska Onken and Alexander Mietke and Thomas Thersleff},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.4044},
year = {2013}
}
备注
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