利用 NdFeAs(O,F) 超导薄膜制备晶界结
超导电性
2018-08-02 v2
摘要
我们报道了在错向角 theta_GB=6{\deg}、12{\deg}、24{\deg} 和 45{\deg} 的 [001] 倾斜 MgO 双晶衬底上生长 NdFeAs(O,F) 薄膜，及其晶间与晶内输运性质。X 射线衍射研究证实，我们所有的 NdFeAs(O,F) 薄膜均在 MgO 双晶上外延生长。晶间临界电流密度 Jc 对 theta_GB 的依赖性表明，与 Co 掺杂的 BaFe2As2 和 Fe(Se,Te) 不同，其随 theta_GB 的衰减相当显著。作为该结果的一个可能原因，氟可能优先扩散至晶界区域并侵蚀晶体结构。
引用
@article{arxiv.1712.05966,
title = {Fabrication of grain boundary junctions using NdFeAs(O,F) superconducting thin films},
author = {Taito Omura and Takuya Matsumoto and Takafumi Hatano and Kazumasa Iida and Hiroshi Ikuta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.05966},
year = {2018}
}
备注
Proceedings of the 30th International Symposium on Superconductivity, 7 figures. Accepted for publication