CaF2 衬底上外延 Fe(Se,Te) 薄膜中的高效各向同性钉扎
超导电性
2015-06-17 v1
摘要
我们报道了在 CaF2 (001) 衬底上生长的外延 Fe(Se,Te) 薄膜中获得的各向同性钉扎效应。在液氦自场条件下，实现了大于 1 MA/cm²的高临界电流密度值，同时表现出对磁场极弱的依赖性和完全各向同性。透射电子显微镜分析证实了存在尺度极小（5 至 20 nm 之间）的类晶格无序缺陷，据信这些缺陷导致了这种各向同性行为；这与在 SrTiO3 上观察到的情况形成对比，后者中平行于 c 轴的缺陷增强了该方向的钉扎。
引用
@article{arxiv.1309.1044,
title = {Highly effective and isotropic pinning in epitaxial Fe(Se,Te) thin films grown on CaF2 substrates},
author = {V. Braccini and S. Kawale and E. Reich and E. Bellingeri and L. Pellegrino and A. Sala and M. Putti and K. Higashikawa and T. Kiss and B. Holzapfel and C. Ferdeghini},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.1044},
year = {2015}
}