钴掺杂BaFe2As2单晶薄膜中的强涡旋钉扎
超导电性
2015-05-18 v1
摘要
我们报告了在不同SrTiO3模板厚度下，在SrTiO3/(La,Sr)(Al,Ta)O3上生长的真正外延钴掺杂BaFe2As2薄膜的Jc的场和角度依赖性的测量结果。这些薄膜的Jc与单晶的Jc相当，并且在H/Hirr ~ 0.5处最大钉扎力Fp(0.6Tc) > 5 GN/m^3，表明存在有效直至高场的强涡旋钉扎。由于强的c轴相关钉扎，沿c轴方向的Jc超过了H//ab平面的Jc，反转了Hc2各向异性的预期。高分辨透射电子显微镜显示，强涡旋钉扎是由于高密度的纳米尺寸柱状缺陷所致。
引用
@article{arxiv.1003.0132,
title = {Strong vortex pinning in Co-doped BaFe2As2 single crystal thin films},
author = {C. Tarantini and S. Lee and Y. Zhang and J. Jiang and C. W. Bark and J. D. Weiss and A. Polyanskii and C. T. Nelson and H. W. Jang and C. M. Folkman and S. H. Baek and X. Q. Pan and A. Gurevich and E. E. Hellstrom and C. B. Eom and D. C. Larbalestier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.0132},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 6 figures