CaKFe4As4 单晶中由平面缺陷诱导的巨大且显著各向异性的临界电流密度
超导电性
2019-03-19 v2
摘要
在 CaKFe4As4 单晶中研究了临界电流密度的三个独立分量，一个对应于 H//c 轴，另外两个对应于 H//ab 平面。当磁场沿 c 轴施加时，我们观察到 M-H 磁滞回线中的鱼尾状峰，且在高温下高场处的磁化强度超过低温下的磁化强度。当磁场平行于 ab 平面施加时，在自场附近观察到 M-H 磁滞回线中的凹陷结构。此外，对于 H//ab 平面，我们成功分别评估了巨大且显著各向异性的面内和面外 Jc。透射电子显微镜揭示了 CaKFe4As4 中平行于 ab 平面的平面缺陷的存在，这在任何其他铁基超导体中均未被观察到。我们讨论了异常 Jc 行为与平面缺陷之间的可能关系。
引用
@article{arxiv.1903.00866,
title = {Large and significantly anisotropic critical current density induced by planar defects in CaKFe4As4 single crystals},
author = {Sunseng Pyon and Ayumu Takahashi and Ivan Veshchunov and Tsuyoshi Tamegai and Shigeyuki Ishida and Akira Iyo and Hiroshi Eisaki and Motoharu Imai and Hideki Abe and Taichi Terashima and Ataru Ichinose},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.00866},
year = {2019}
}
备注
19 pages, 8 figures + supplemental material 6 pages, 4 figures To be published in Phys. Rev. B