La掺杂对CaKFe$_4$As$_4$临界电流密度的演化

通过自熔法生长了( Ca$_{1-x}$La$_x$)KFe$_4$As$_4$ (0 <= x <=0.16)单晶，并研究了随La掺杂变化的物理性质演化，包括临界电流密度（Jc）。Tc随x的增加单调降低，而在相同温度和磁场下，Jc最初增加并在x = 0.082处达到最大值。在低温和高场条件下，Jc的增大更为显著。在T = 5 K和H = 40 kOe时，Jc达到0.34 MA/cm$^2$，约为纯晶体的4倍。还发现，随La掺杂量的增加，CaKFe$_4$As$_4$中异常的Jc温度依赖性被消除。然而，在La含量较大时，晶体的Jc在高场下表现出非单调场依赖性（峰值效应）。此外，我们发现尽管H$_{c2}$呈现较弱各向异性，Jc却达到约15的极大各向异性，这很可能是由于晶体中类似CaKFe$_4$As$_4$的新型平面缺陷所致。比较了(Ca$_{1-x}$La$_x$)KFe$_4$As$_4$中FeAs平面之外的无序对Jc特征与CaK(Fe$_{1-x}$Co$_x$)$_4$As$_4$中FeAs平面内部无序对Jc特征的差异。