KxFe2-ySe2 单晶临界电流密度的巨幅提升
超导电性
2012-03-19 v2
摘要
通过采用后退火和淬火技术，我们展示了KxFe2-ySe2单晶的临界电流密度Jc,ab可以提高一个数量级以上，在1.8 K时达到约2.1 × 10^4 A/cm^2。在所有测量温度下，均观察到归一化钉扎力与约化场之间的标度律，这反映了仅存在一种主导钉扎机制。分析表明，在淬火后的KxFe2-ySe2样品中存在三维点状正常芯钉扎源，而涡旋与钉扎中心的主要相互作用是通过Tc的空间变化（“deltaTc钉扎”）。
引用
@article{arxiv.1109.0534,
title = {Giant increase in critical current density of KxFe2-ySe2 single crystals},
author = {Hechang Lei and C. Petrovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.0534},
year = {2012}
}
备注
3 figures, 4 pages