一种提高Fe(Se0.5Te0.5)多晶材料全局临界电流密度的新方法
超导电性
2012-10-12 v2
摘要
提出了一种基于熔融过程和后续退火处理制备块体Fe(Se0.5Te0.5)样品的新方法。与标准烧结技术相比，该方法制备的样品更加均匀致密，具有大且良好互连的晶粒。所得样品表现出最佳临界温度值、尖锐的电阻和磁转变、大的磁滞回线和高上临界场。有趣的是，全局临界电流密度相比文献中报道的同一11族块体样品的值有显著提高，通过磁学、输运和磁光技术评估，在4.2 K零场下达到约10^3 A/cm^2。更重要的是，其场依赖性非常弱，在μ0H = 7 T时仅被抑制约2倍。
引用
@article{arxiv.1205.3618,
title = {A new approach for improving global critical current density in Fe(Se0.5Te0.5) polycrystalline materials},
author = {A. Palenzona and A. Sala and C. Bernini and V. Braccini and M. R. Cimberle and C. Ferdeghini and G. Lamura and A. Martinelli and I. Pallecchi and G. Romano and M. Tropeano and R. Fittipaldi and A. Vecchione and A. Polyanskii and F. Kametani and M. Putti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.3618},
year = {2012}
}
备注
21 pages, 15 figures