纯 Fe 包覆 MgB2 带在 30 K 以上的高传输临界电流密度

采用粉末装管法制备了 Fe 包覆的 MgB2 长带。使用 Mg + 2B 混合物作为中心导体芯，并通过原位反应生成 MgB2。在常压下，于纯 Ar 气氛中 800 ^(o) C 烧结 1 小时。SEM 显示出高致密度的芯部，晶粒尺寸达 100 微米。Fe 包覆带表现出尖锐的转变，转变宽度为 0.2 K，$T_{c0}$ 为 37.5 K。我们获得了迄今为止报道的最高传输临界电流：在 29.5 K、1 Tesla 和 33 K、零磁场下均达到 $1.6 \times 10^4$ A/cm^2。还测量了磁场垂直和平行于带面时的 R-T 和临界电流。铁包覆层屏蔽了外加磁场对芯部的作用，但对平行于带面的磁场屏蔽效果较弱。Fe 包覆层在某些应用中可能具有优势，因为它可以同时减小自场和外加场的影响。